自老美对我国实施技术封堵后，高科技工业方面影响就比力多，特别是芯片制造方面，即便我们有芯片设计技术，但若没制造能力，同样只能望洋兴叹，故近一年来自力重生造芯片风潮水很盛。可是芯片到底有多灾造？列位可能只懂其一不懂其二。那到底有多灾呢？首先，自然是晶圆的提取，这是芯片制造的基础原料。简朴来说，把晶圆切割后，经由光刻加工，最后获得芯片。

芯片制造的晶圆，主要身分是硅，要到达芯片制造尺度，对这种“硅晶圆”的硅含量要到达“十一个九”的纯度，即是99.999999999%。一般将纯度为98%左右的粗硅，再经由盐酸氯化和蒸馏，就可以获得高纯度的多晶硅。

而多晶硅可以用于光伏工业（太阳能发电），但还不能用于芯片制造，这时还得用柴可拉斯基法（Czochralski process）把多晶硅转换为单晶硅。说到光刻机，就说到ASML，全球就这一个公司才气提供这种设备。现在最新的设备是接纳EUV（Extreme Ultraviolet，极紫外线）对晶圆举行光刻，嗯，也就是三星和台积电最新5nm制程工艺使用的技术。

而像Intel，现在还不能挺进10nm制程门槛，是因为还停留在DUV（Deep Ultravi，深紫外线）工艺。极紫外线，波长为13.5nm，与可见光中波长最短的紫光相比，可见光中的紫光波长约为380-450nm。

要发出这种光，对技术及工艺等有特别严格的要求。简朴来说，就是在ASML光刻机内部，先把极高纯度的金属锡加热到熔化，再将其喷到真空之中。喷出的锡看起来似乎一条线，其实是高速移动的，直径为30微米的锡珠（滴），发生的速度是每秒钟5万颗。

然后，先用激光照射这些锡珠（滴），使其变为粉饼状，发生更大的外貌积。再以高功率的二氧化碳激光照射这些粉饼，这样，就获得了高热等离子体，放射出极紫外线。

固然，光刻机的每一个关键技术都不容易，每一个都是顶尖科技，否则也就不会仅ASML才气做这个。也应该能想到，整个工业链的协同也是必须，差别部件由差别厂商供货，ASML就像最终的集成商。ASML光刻机这个设备除过技术方面的绝对厉害外，对情况的要求也很是苛刻。

其对空气清洁度的要求，做一个简朴对比：在美国航空航天署组装詹姆斯·韦伯太空望远镜的无尘房间，其清洁度到达了CleanRoom ISO 7，也就是每立方米的空气中，大于0.5微米的微粒数量不得凌驾35.2万个。可是，ASML厂房的清洁度必须到达ISO 1，也就是说，每立方米空气中，小于0.1微米的微粒数量不得大于10个（大于该尺寸的微粒不得存在）。而在普通人生活的正常情况，其“污染指数”是ISO 1的500万倍。

造芯片的技术不是普通人所能预想的那么简朴，我们国家要在这方面更进一步，应该另有不少路要走。

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